Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10mA Pmax 35W

Найдено: 4
  • TRANS NPN 175V 0.01A TO66
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 175V 0.01A TO66
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 175V 0.01A TO66
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • T-NPN SI- HIV PO
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: