-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N3583 | TRANS NPN 175V 0.01A TO66 | Microchip Technology | TO-213AA, TO-66-2 | 10mA | 175V | 35W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-66 (TO-213AA) | 10mA | 40 @ 500mA, 10V |
| JANTXV2N3583 | TRANS NPN 175V 0.01A TO66 | Microchip Technology | TO-213AA, TO-66-2 | 10mA | 175V | 35W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-66 (TO-213AA) | 10mA | 40 @ 500mA, 10V |
| 2N3583 | TRANS NPN 175V 0.01A TO66 | Microchip Technology | TO-213AA, TO-66-2 | 10mA | 175V | 35W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-66 (TO-213AA) | 10mA | 40 @ 500mA, 10V |
| 2N3583 | T-NPN SI- HIV PO | NTE Electronics, Inc | TO-213AA, TO-66-2 | 10mA | 175V | 35W | Through Hole | NPN | -65°C ~ 200°C (TJ) | TO-66 (TO-213AA) | 10mA | 40 @ 500mA, 10V |
- 10
- 15
- 50
- 100