Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 200mA Pmax 350mW
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-963
- Тип корпуса: SOT-963
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 200MHz, 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 20nA
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 300mV
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 300mV
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 850MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 300mV
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 350mW
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 500 @ 100µA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 700MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 400nA
- Граничная частота: 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 20nA
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Мощность - Макс.: 350mW
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 10µA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz, 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 20nA
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 20nA
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100