• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 2mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: NTE Electronics, Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SOT-363
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 300MHz, 250MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: 6-TSSOP
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 300MHz, 250MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 400nA (ICBO)

• Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: Diotec Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SST3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 250 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 125MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 2mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 400nA (ICBO)

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 300mV
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 10nA