• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 20nA
• Граничная частота: 125MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 10µA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SST3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 210 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: UMT3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 210 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 250 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 20nA

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 10µA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 350 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 8mA, 10V
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 620MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 280MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SOT-563
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 300 @ 100µA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: DFN1010B-6
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 250 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 20nA