Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.7A Pmax 325mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • PBSS5260QAZ
    TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: DFN1010D-3
    • Мощность - Макс.: 325mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.7A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1.7A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100