Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.5A Pmax 200mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
  • FML9T148
    TRANS NPN 12V 1.5A SMT5
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMT5
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD2652T106
    TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: UMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD2657KT146
    TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 330MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1689T106
    TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: UMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FML10T148
    TRANS NPN 12V 1.5A SMT5
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMT5
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1695KT146
    TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 280MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100