Найдено: 6
-
TRANS NPN 12V 1.5A SMT5
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74A, SOT-753
- Тип корпуса: SMT5
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 330MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 12V 1.5A SMT5
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74A, SOT-753
- Тип корпуса: SMT5
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 200mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 280MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: