Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 150mA Pmax 1W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 35 @ 30mA, 25V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 160MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- Тип корпуса: TO-92L-A1
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100