Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 150mA Pmax 1W

Найдено: 11
  • TRANS NPN 300V 0.15A TO39
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 30mA, 25V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 160MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 50V 0.15A TO92L-A1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    • Тип корпуса: TO-92L-A1
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A TO92
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A TO92
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR, PNP, -500V, -0.15A,
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 500V 0.15A SOT223
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR, PNP, -500V, -0.15A,
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: