Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 15A Pmax 180W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3PL
- Тип корпуса: TO-3P(L)
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-5
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 5A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-5
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3PL
- Тип корпуса: TO-3P(L)
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 6MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100