Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 12A Pmax 150W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 36
  • 2SD2401
    TRANS NPN DARL 150V 12A MT-200
    Sanken
    • Производитель: Sanken
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-ESIP
    • Тип корпуса: MT-200
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
    • Усиление по току (hFE): 5000 @ 7A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    • Граничная частота: 55MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N6058
    TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N6051
    TRANS PNP DARL 80V 12A TO3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3
    • Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N6052
    T-PNP SI-DARLINGTON AMP
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC3552OTU
    TRANS NPN 800V 12A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 800mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2A, 6A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 15MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N6051
    TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3
    • Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N6059
    TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N6052
    TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3
    • Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N6051
    TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3
    • Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N6052 PBFREE
    TRANS PNP 100V 12A TO3
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC3552RTU
    TRANS NPN 800V 12A TO3P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 800mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2A, 6A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    • Граничная частота: 15MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N6058
    TRANS NPN DARL 80V 12A TO3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N6059
    T-NPN SI-DARLINGTON AMP
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N6051
    TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1570
    TRANS PNP DARL 150V 12A MT-200
    Sanken
    • Производитель: Sanken
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-ESIP
    • Тип корпуса: MT-200
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
    • Усиление по току (hFE): 5000 @ 7A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100