• Производитель: Microsemi Corporation
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Тип корпуса: TO-82
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 7.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
• Усиление по току (hFE): 400 @ 10A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
• Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 30MHz