Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 125W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 39
  • TIP140G
    TRANS NPN DARL 60V 10A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP142
    T-NPN SI- PO DARLINGTON
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP145
    TRANS PNP 60V 10A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP142G
    TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP141G
    TRANS NPN DARL 80V 10A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP145
    TRANS PNP DARL 60V 10A TO218
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP147
    T-PNP SI- PO DARLINGTON
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP147
    TRANS PNP DARL 100V 10A TO247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP141
    TRANS NPN DARL 80V 10A TO218
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP145
    T-PNP SI- PO DARLINGTON
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP146
    TRANS PNP 80V 10A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIPL765A-S
    TRANS NPN DARL 450V 10A SOT93
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: SOT-93
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 500mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 50µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP141
    TRANS NPN 80V 10A TO218
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP147G
    TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP141
    T-NPN SI- PO DARLINGTON
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100