Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 125W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 135

BDV64B

TRANS PNP DARL 100V 10A SOT93

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BDV64

T-PNP SI- HIGH PWR DARL

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP140

TRANS NPN DARL 60V 10A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP140

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJW21192

TRANS NPN 150V 8A TO-247

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36A

TRANS PNP 60V 25A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP35B

TRANS NPN 80V 25A TO218

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ESM3045DV

TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOTOP
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 24A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTX2N6308

TRANS NPN 350V 8A TO204AA

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/498
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP147FTU

TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PF

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP140

T-NPN SI- PO DARLINGTON

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36C

TRANS PNP 100V 25A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BDV65

T-NPN SI- HIGH PWR DARL

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE18008

TRANS NPN 450V 8A TO220

onsemi
- Производитель: onsemi
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 14 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 13MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJ6503 PBFREE

TRANS PNP 400V 8A TO3

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Серия: MJ6503
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 2A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
- Обратный ток коллектора: 500µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: