Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 125W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 135

MJW21192

TRANS NPN 150V 8A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP35B

TRANS NPN 80V 25A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP140G

TRANS NPN DARL 60V 10A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE4353G

TRANS PNP 160V 16A SOT93

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP142

T-NPN SI- PO DARLINGTON

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP35A

TRANS NPN 60V 25A TO218

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP145

TRANS PNP 60V 10A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36C

TRANS PNP 100V 25A SOT93

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 15A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36C SL

TRANS PNP 100V 25A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP35A

TRANS NPN 60V 25A TO218

Motorola
- Производитель: Motorola
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP142G

TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP141G

TRANS NPN DARL 80V 10A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTXV2N6306

TRANS NPN 250V 8A TO204AA

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/498
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36CG

TRANS PNP 100V 25A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 15A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTXV2N6308

TRANS NPN 350V 8A TO204AA

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/498
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: