• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-3PF
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: Motorola
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 7MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 6A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.2A, 6A
• Обратный ток коллектора: 250µA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Серия: MJ6503
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 2A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
• Обратный ток коллектора: 500µA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 25A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 16A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• Обратный ток коллектора: 750µA
• Граничная частота: 1MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 7 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A
• Граничная частота: 28MHz

• Производитель: NTE Electronics, Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 16A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• Обратный ток коллектора: 750µA
• Граничная частота: 1MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 16A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
• Обратный ток коллектора: 750µA
• Граничная частота: 1MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 7MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V

• Производитель: Sanken
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 14A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 60MHz