Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 125W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 135

2STC2510

TRANS NPN 100V 25A TO3P

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 12A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUL810

TRANS NPN 450V 15A TO247-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A
- Обратный ток коллектора: 250µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP142

TRANS NPN DARL 100V 10A TO247

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTXV2N6308

TRANS NPN 350V 8A TO3

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/498
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36C

T-PNP SI- PWR AMP

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BDV64A

TRANS PNP 80V 12A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36B

T-PNP SI- PWR AMP

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP145G

TRANS PNP DARL 60V 10A TO247-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 2mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP142

TRANS NPN 100V 10A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BUV48A

TRANS NPN 450V 15A TO247-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A
- Обратный ток коллектора: 200µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP35B

T-NPN SI- PWR AMP

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BDV65B

TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BDV65A

TRANS NPN 80V 12A TO218

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTX2N6308

TRANS NPN 350V 8A TO3

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/498
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.67A, 8A
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TIP36CW

TRANS PNP 100V 25A TO247-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 3MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: