• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 22
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
MJE180 T-NPN SI AF PO NTE Electronics, Inc TO-225AA, TO-126-3 3A 40V 12.5W Through Hole NPN TO-225AA 300mV @ 50mA, 500mA 50 @ 100mA, 1V 50MHz
MJE181 TRANS NPN 60V 3A TO126 onsemi TO-225AA, TO-126-3 3A 60V 12.5W Through Hole NPN -65°C ~ 150°C (TJ) TO-126 1.7V @ 600mA, 3A 100nA (ICBO) 50 @ 100mA, 1V 50MHz
MJD253T4 TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK onsemi TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 4A 100V 12.5W Surface Mount PNP -65°C ~ 150°C (TJ) DPAK 300mV @ 50mA, 500mA 40 @ 200mA, 1V 40MHz
MJD243T4 TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK onsemi TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 4A 100V 12.5W Surface Mount NPN -65°C ~ 150°C (TJ) DPAK 300mV @ 50mA, 500mA 40 @ 200mA, 1V 40MHz
MJD200T4 POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN Rochester Electronics, LLC TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 5A 25V 12.5W Surface Mount NPN -65°C ~ 150°C (TJ) DPAK 300mV @ 50mA, 500mA 45 @ 2A, 1V 65MHz
MJE172 TRANS PNP 80V 3A SOT32-3 STMicroelectronics TO-225AA, TO-126-3 3A 80V 12.5W Through Hole PNP 150°C (TJ) SOT-32-3 1.7V @ 600mA, 3A 100nA (ICBO) 50 @ 100mA, 1V 50MHz
MJE182 TRANS NPN 80V 3A SOT32-3 STMicroelectronics TO-225AA, TO-126-3 3A 80V 12.5W Through Hole NPN 150°C (TJ) SOT-32-3 1.7V @ 600mA, 3A 100nA (ICBO) 50 @ 100mA, 1V 50MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100