Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 12.5W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 22

MJD243T4

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 200mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
- Граничная частота: 40MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SB772

TRANS PNP 30V 3A SOT32-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BD138-6-BP

TRANS PNP 60V 1.5A TO126

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NJVMJD253T4G-VF01

TRANS PNP 100V 4A DPAK

onsemi
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 200mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 40MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE182

T-NPN SI- AF PO

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SD882

TRANS NPN 30V 3A SOT32

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32 (TO-126)
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE182

GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTOR

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BD139G

TRANS NPN 80V 1.5A TO126

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJD200T4

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE170

TRANS PNP 40V 3A TO126

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE171

TRANS PNP 60V 3A TO225AA

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-225AA
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ST631K

TRANS PNP 120V 1A SOT32-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE171

TRANS PNP 60V 3A TO126

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MJE182

TRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ST600K

TRANS NPN 120V 1A SOT32-3

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 12.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: