Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A, 800mA

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • TPCP8901(TE85L,F,M
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: PS-8
    • Мощность - Макс.: 1.48W
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A, 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100