Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 18A
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 18A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3PL
- Тип корпуса: TO-3P(L)
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 18A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3PL
- Тип корпуса: TO-3P(L)
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 18A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100