• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220FN
• Мощность - Макс.: 25W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 320 @ 2A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 80MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 18 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 800mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2A, 6A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 15MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 3.5W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 800mA, 8A