• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
ADTA144ECAQ-13 PREBIAS TRANSISTOR SOT23 Diodes Incorporated 100mA 50V 310mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23-3 47kOhms 250MHz 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Automotive, AEC-Q101
DDTA115TUA-7-F TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-323 100kOhms 300mV @ 100µA, 1mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-70, SOT-323
DDTC125TKA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-59-3 200 kOhms 300mV @ 50µA, 500µA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FJY4009R SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Fairchild Semiconductor 100mA 40V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-523F 4.7kOhms 300mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 200MHz SC-89, SOT-490
BCR555E6433HTMA1 TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 Infineon Technologies 500mA 50V 330mW Surface Mount PNP - Pre-Biased PG-SOT23 2.2kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 100nA (ICBO) 70 @ 50mA, 5V 150MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR135WH6327XTSA1 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Infineon Technologies 100mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased PG-SOT323 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 5mA, 5V 150MHz 47kOhms SC-70, SOT-323
FJNS3206RBU TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S onsemi 100mA 50V 300mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92S 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
NSBA144EDXV6T5G TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563 onsemi
UP0411100L TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SSMINI6-F1 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 80MHz 10kOhms SOT-563, SOT-666
DTA114TEBTL TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased EMT3 10kOhms 300mV @ 1mA, 10mA 500nA (ICBO) 100 @ 1mA, 5V 250MHz SC-75, SOT-416
DTC143XEFRATL NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Rohm Semiconductor 100mA 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased + Diode EMT3 4.7kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kOhms SC-75, SOT-416 Automotive, AEC-Q101
DTC043EUBTL TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Rohm Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3F 4.7kOhms 150mV @ 500µA, 5mA 20 @ 5mA, 10V 250MHz 4.7kOhms SC-85
DTC114YUBHZGTL NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Rohm Semiconductor 100mA 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased + Diode UMT3F 10kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-85 Automotive, AEC-Q101
DTC123YKAT146 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMT3 2.2kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 33 @ 10mA, 5V 250MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RN2106(T5L,F,T) TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 100mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSM 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kOhms SC-75, SOT-416
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.