Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Renesas
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Renesas
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SC-62
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Резистор базы (R1): 2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: 3-SSIP
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 1A, 5V
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 135 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Резистор базы (R1): 2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 2 kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100