Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Renesas Electronics America
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µ, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22 Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Серия: HD1
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SC-62
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 2V
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µ, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22 Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100