• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
  • RN2109MFV,L3F
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: VESM
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PDTC114EQCZ
    PDTC114EQC/SOT8009/DFN1412D-3
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: DFN1412D-3
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 230MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MUN5114DW1T1G
    TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PEMB1,115
    NOW NEXPERIA PEMB1 - SMALL SIGNA
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-666
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTB113ECT116
    PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 33 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTC123JEBMGTL
    TRANS NPN 100MA 50V SC-89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: DTC123J
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: EMT3F (SOT-416FL)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased + Diode
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PDTC114YQAZ
    PDTC143X/123J/143Z/114YQA SERIES
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PUMD20,115
    TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: 6-TSSOP
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DMC964020R
    TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SSMini6-F3-B
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR31A500L
    TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: SSSMini3-F1
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSVB123JPDXV6T1G
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1105ACT(TPL3)
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: CST3
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDTA113ZCA-7
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 33 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC3144G0L
    TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: SSSMini3-F2-B
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DTA124TETL
    TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: EMT3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.