Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения I_C(MAX) 100mA, 500mA в корпусе SOT-363

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SOT-363
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 15V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 1µA, 100nA
• Граничная частота: 280MHz
• Резистор базы (R1): 4.7kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SOT-363
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 500nA
• Граничная частота: 250MHz, 200MHz
• Резистор базы (R1): 100Ohms, 10kOhms
• Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms