-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIMD10A-7-F | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Diodes Incorporated | 100mA, 500mA | 50V | 200mW | Surface Mount | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | SOT-363 | 100Ohms, 10kOhms | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA | 500nA | 100 @ 1mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 10kOhms | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| PBLS1502Y,115 | NOW NEXPERIA PBLS1502Y - SMALL S | NXP USA Inc. | 100mA, 500mA | 50V, 15V | 300mW | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | SOT-363 | 4.7kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA | 1µA, 100nA | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V | 280MHz | 4.7kOhms | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
- 10
- 15
- 50
- 100