Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 100mA в корпусе SC-70

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 79
  • RN2303,LF
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2301,LF
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2306,LF
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA1A4Z-T1-A
    GA1A4Z - SWITCHING REGISTER BUI
    Renesas
    • Производитель: Renesas
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 135 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1306,LXHF
    AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=4.7KO
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2308,LF
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2309(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2311(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1305,LXHF
    AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=2.2KO
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1303,LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2313(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1313,LXHF
    AUTO AEC-Q NPN BRT IC:0.1A, VCEO
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2301,LXHF
    AUTO AEC-Q SINGLE PNP , R1=4.7KO
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PDTA114EU/SNF
    TRANS PREBIAS PNP SC70
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 180MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1310,LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100