-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2316,LXHF | AUTO AEC-Q TR PNP BRT, Q1BSR=4.7 | Toshiba Semiconductor and Storage | 100mA | 50V | 100mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SC-70 | 4.7kOhms | 300mV @ 250µA, 5mA | 500nA | 50 @ 10mA, 5V | 200MHz | 10kOhms | SC-70, SOT-323 | |
| RN1302,LF | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM | Toshiba Semiconductor and Storage | 100mA | 50V | 100mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-70 | 10kOhms | 300mV @ 250µA, 5mA | 500nA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 10kOhms | SC-70, SOT-323 | |
| RN2306,LXHF | AUTO AEC-Q SINGLE PNP , R1=4.7KO | Toshiba Semiconductor and Storage | 100mA | 50V | 100mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SC-70 | 4.7kOhms | 300mV @ 250µA, 5mA | 500nA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 47kOhms | SC-70, SOT-323 | Automotive, AEC-Q101 |
| RN1311,LF | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM | Toshiba Semiconductor and Storage | 100mA | 50V | 100mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-70 | 10kOhms | 300mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 120 @ 1mA, 5V | 250MHz | SC-70, SOT-323 |
- 10
- 15
- 50
- 100