Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения IC(MAX) 800mA в корпусе S-Mini

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 14
  • RN2426(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2424(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2425(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1424TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2427TE85LF
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1425TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 470Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1423TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1422TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 65 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2422TE85LF
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 65 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1427TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1421TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2421(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 1kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN2423(TE85L,F)
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RN1426TE85LF
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 300MHz
    • Резистор базы (R1): 1kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100