• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
EMF22T2R TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 500mA 50V, 12V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN EMT6 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 500nA 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V 250MHz, 320MHz 10kOhms SOT-563, SOT-666
EMD29T2R TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 500mA 50V, 12V 120mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) EMT6 1kOhms, 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 500nA 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V 250MHz, 260MHz 10kOhms SOT-563, SOT-666
EMF21T2R TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 500mA 50V, 12V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP EMT6 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 500nA 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V 250MHz, 260MHz 10kOhms SOT-563, SOT-666
EMF8T2R TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 500mA 50V, 12V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN EMT6 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 500nA 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V 250MHz, 320MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666
EMF5T2R TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 Rohm Semiconductor 100mA, 500mA 50V, 12V 150mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP EMT6 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 500nA 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V 250MHz, 260MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100