-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 320MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms, 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 320MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
- Усиление по току (hFE): 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 260MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100