Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 731

RN1106,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2306,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN4911,LXHF(CT

AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz, 250MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1962FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1116(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1131MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 100kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1101MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1118(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN4902FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz, 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1413(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1910,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN4601(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SM6
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN4905,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz, 250MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2130MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 100kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1906,LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: