Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 731

RN2105CT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2606(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SM6
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2905FE,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2706JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-553
- Тип корпуса: ESV
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2967(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 10kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1131MFV(TL3,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 100kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1114MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2108CT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: CST3
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2106(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1965FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 2.2kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2901(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN2426(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 200MHz
- Резистор базы (R1): 1kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1970(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RN1104MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: VESM
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 47kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: