-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTB143EQA147 | PDTB143EQA SMALL SIGNAL FET | NXP USA Inc. | 500mA | 50V | 325mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | DFN1010D-3 | 4.7kOhms | 100mV @ 2.5mA, 50mA | 500nA | 60 @ 50mA, 5V | 150MHz | 4.7kOhms | 3-XDFN Exposed Pad | PDTB143 |
- 10
- 15
- 50
- 100