Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NXP USA Inc. IC(MAX) 20mA

Найдено: 8
  • NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: DFN1006B-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 180MHz
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3; MPAK
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: SC-89
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SC-75
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SC-75
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3; MPAK
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 100kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 100kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: