Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
PDTA115EMB,315 NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL NXP USA Inc. 20mA 50V 250mW Surface Mount PNP - Pre-Biased DFN1006B-3 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 180MHz 100kOhms SC-101, SOT-883
PDTA115EK,115 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 NXP USA Inc. 20mA 50V 250mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SMT3; MPAK 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PDTC115EEF,115 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 NXP USA Inc. 20mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-89 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms SC-89, SOT-490
PDTC115ES,126 TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 NXP USA Inc. 20mA 50V 500mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92-3 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
PDTA115ES,126 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 NXP USA Inc. 20mA 50V 500mW Through Hole PNP - Pre-Biased TO-92-3 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
PDTA115EE,115 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 NXP USA Inc. 20mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SC-75 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms SC-75, SOT-416
PDTC115EE,115 TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 NXP USA Inc. 20mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-75 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms SC-75, SOT-416
PDTC115EK,115 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 NXP USA Inc. 20mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMT3; MPAK 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3