- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Конфигурация
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBPC1506 | BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, | Fairchild Semiconductor | 4-Square, GBPC | 600V | 15A | Single Phase | QC Terminal | GBPC | Standard | -65°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 600V | 1.1V @ 7.5A | |||||||||||||||||||
| MURH10040R | DIODE GEN PURP 400V 100A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 100A | Standard, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 100A | 400V | 90ns | |||||||||||||||||||
| BAT5403WE6327HTSA1 | DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2 | Infineon Technologies | SC-76, SOD-323 | 200mA (DC) | Schottky | Surface Mount | PG-SOD323-2 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 2µA @ 25V | 10pF @ 1V, 1MHz | 800mV @ 100mA | 30V | 5ns | 150°C (Max) | |||||||||||||||||
| JANTX1N977BUR-1/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | DO-204AH, DO-35, Axial | Through Hole | ±5% | DO-35 (DO-204AH) | -55°C ~ 175°C | 500mW | 47V | 105 Ohms | 500nA @ 36V | 1.1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/117 | ||||||||||||||||||
| CDS5518CUR-1 | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | |||||||||||||||||||||||||||||
| CD4134 | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | Die | Surface Mount | ±5% | Die | -65°C ~ 175°C | 500mW | 91V | 1200 Ohms | 10nA @ 69.16V | 1.5V @ 200mA | |||||||||||||||||||
| MB158W-BP | BRIDGE RECT 1P 800V 15A MB-35W | Micro Commercial Co | 4-Square, MB-35W | 800V | 15A | Single Phase | Through Hole | MB-35W | Standard | -55°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 800V | 1.2V @ 7.5A | |||||||||||||||||||
| SZNZ8F13VMX2WT5G | 13V ZENER STANDARD TOLERANCE IN | onsemi | 2-XDFN | Surface Mount, Wettable Flank | ±5% | 2-X2DFNW (1x0.6) | -65°C ~ 150°C (TJ) | 250mW | 13V | 37 Ohms | 100nA @ 10V | 900mV @ 10mA | Automotive, AEC-Q101, NZ8F | ||||||||||||||||||
| HVC375BTRF-E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||||||||||||||||||||
| DAP202UMTL | DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F | Rohm Semiconductor | SC-85 | Standard | Surface Mount | UMD3F | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 100nA @ 70V | 1.2V @ 100mA | 80V | 4ns | 150°C (Max) | 1 Pair Common Anode | 100mA | |||||||||||||||||
| 1SMA4763HR3G | DIODE ZENER 91V 1.25W DO214AC | Taiwan Semiconductor Corporation | DO-214AC, SMA | Surface Mount | ±5% | DO-214AC (SMA) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 1.25W | 91V | 250 Ohms | 1µA @ 69.2V | Automotive, AEC-Q101 | |||||||||||||||||||
| GP10-4003-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-204AL, DO-41, Axial | 1A | Standard | Through Hole | DO-204AL (DO-41) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 200V | ||||||||||||||||||||||
| VS-6ESH01HM3/86A | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-277, 3-PowerDFN | 6A | Standard | Surface Mount | TO-277A (SMPC) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 2µA @ 100V | 940mV @ 6A | 100V | 22ns | -60°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® | |||||||||||||||||
| ES1PD-M3/85A | DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-220AA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-220AA (SMP) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 200V | 10pF @ 4V, 1MHz | 920mV @ 1A | 200V | 25ns | -55°C ~ 150°C | eSMP® | ||||||||||||||||
| VS-43CTQ100GPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-220-3 | Schottky | Through Hole | TO-220-3 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 100V | 980mV @ 40A | 100V | 175°C (Max) | 1 Pair Common Cathode | 20A |
- 10
- 15
- 50
- 100
Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.
Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.
Рисунок 1. Классификация диодов
Справочная информация по основным параметрам:
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) —
Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) —
Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) —
Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) —
Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) —
Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) —
Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) —
Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) —
Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) —
Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) —
Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) —
Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) —
Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) —
Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.