- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Конфигурация
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMZ5941B BK PBFREE | DIODE ZENER 47V 500MW SMA | Central Semiconductor Corp | DO-214AC, SMA | Surface Mount | ±5% | SMA | -65°C ~ 150°C | 500mW | 47V | 67 Ohms | 1µA @ 35.8V | 1.5V @ 200mA | |||||||||||||||||||
| DZ23C51-7-F | DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23-3 | Diodes Incorporated | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | ±5% | SOT-23-3 | 1 Pair Common Cathode | -65°C ~ 150°C | 300mW | 51V | 100 Ohms | ||||||||||||||||||||
| CDLL5235A/TR | VOLTAGE REGULATOR | Microchip Technology | DO-213AB, MELF | Surface Mount | ±10% | DO-213AB | -65°C ~ 175°C | 10mW | 6.8V | 5 Ohms | 3µA @ 5V | 1.1V @ 200mA | |||||||||||||||||||
| LSM340GE3/TR13 | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO215AB | Microsemi Corporation | DO-215AB, SMC Gull Wing | 3A | Schottky | Surface Mount | DO-215AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5mA @ 40V | 520mV @ 3A | 40V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
| JANTX1N6631U | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF | Microsemi Corporation | SQ-MELF, E | 1.4A | Standard | Surface Mount | D-5B | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4µA @ 1000V | 1.4V @ 1.4A | 1000V | 60ns | -65°C ~ 150°C | Military, MIL-PRF-19500/590 | |||||||||||||||||
| JANTX1N4106-1 | DIODE ZENER 12V 500MW DO35 | Microsemi Corporation | DO-204AH, DO-35, Axial | Through Hole | ±5% | DO-35 | -65°C ~ 175°C | 500mW | 12V | 200 Ohms | 50nA @ 9.2V | 1.1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/435 | ||||||||||||||||||
| 1N4930 | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | Microsemi Corporation | DO-204AH, DO-35, Axial | Through Hole | ±5% | DO-35 | -25°C ~ 100°C | 500mW | 19.2V | 36 Ohms | |||||||||||||||||||||
| BZB84-C4V7,215 | DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23 | Nexperia USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | ±5% | TO-236AB | 1 Pair Common Anode | 300mW | 4.7V | 80 Ohms | 3µA @ 2V | 900mV @ 10mA | |||||||||||||||||||
| BZX84-C22/DG/B4R | DIODE ZENER 22.05V 250MW TO236AB | Nexperia USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | ±5% | TO-236AB | -65°C ~ 150°C (TJ) | 250mW | 22.05V | 55 Ohms | 50nA @ 15.4V | 900mV @ 10mA | Automotive, AEC-Q101 | ||||||||||||||||||
| PZM5.1NB2A,115 | DIODE ZENER 5.1V 220MW SMT3 | NXP USA Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | ±2% | SMT3; MPAK | 220mW | 5.1V | 60 Ohms | 3µA @ 1.5V | 1.1V @ 100mA | ||||||||||||||||||||
| CD411699C | DIODE MODULE 1.6KV 100A | Powerex Inc. | Module | Standard | Chassis Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 8mA @ 1600V | 1600V | -40°C ~ 150°C | 1 Pair Series Connection | 100A | ||||||||||||||||||||
| PAB2LD431250 | 3-PHASE AC SWITCH ASSEMBLY | Powerex Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||
| RB085B-40GTL | DIODE SCHOTTKY SSOP3 | Rohm Semiconductor | |||||||||||||||||||||||||||||
| STPS30L30DJF-TR | DIODE SCHOTTKY 30V 30A POWERFLAT | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | 30A | Schottky | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 750µA @ 30V | 510mV @ 30A | 30V | 150°C (Max) | |||||||||||||||||||
| MMBZ5248B-G3-08 | DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Surface Mount | ±5% | SOT-23-3 | -55°C ~ 150°C | 225mW | 18V | 21 Ohms | 100nA @ 14V |
- 10
- 15
- 50
- 100
Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.
Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.
Рисунок 1. Классификация диодов
Справочная информация по основным параметрам:
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) —
Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) —
Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) —
Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) —
Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) —
Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) —
Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) —
Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) —
Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) —
Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) —
Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) —
Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) —
Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) —
Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.