- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Допуск
|
Тип корпуса
|
Конфигурация
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Мощность - Макс.
|
Напряжение стабилизации
|
Имеданс (Макс) (Zzt)
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Коэфициент емкости
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Параметры коэфициента емкости
|
Добротность @ Vr, F
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ES1JWF-HF | RECTIFIER SUPER FAST RECOVERY 60 | Comchip Technology | SOD-123F | 1A | Standard | Surface Mount | SOD-123F | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 600V | 15pF @ 4V, 1MHz | 1.68 V @ 1 A | 600V | 35ns | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
| ES2AA-13 | DIODE GEN PURP 50V 2A SMA | Diodes Incorporated | DO-214AC, SMA | 2A | Standard | Surface Mount | SMA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 50V | 25pF @ 4V, 1MHz | 920mV @ 2A | 50V | 25ns | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
| JAN1N965D-1 | DIODE ZENER 15V 500MW DO35 | Microchip Technology | DO-204AH, DO-35, Axial | Through Hole | ±1% | DO-35 (DO-204AH) | -65°C ~ 175°C | 500mW | 15V | 16 Ohms | 500nA @ 11V | 1.1V @ 200mA | Military, MIL-PRF-19500/117 | ||||||||||||||||||
| SS15-LTP | DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC | Micro Commercial Co | DO-214AC, SMA | 1A | Schottky | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 50V | 45pF @ 4V, 1MHz | 700mV @ 1A | 50V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
| APT100DL60HJ | BRIDGE RECT 1P 600V 100A SOT227 | Microsemi Corporation | SOT-227-4, miniBLOC | 600V | 100A | Single Phase | Chassis Mount | SOT-227 | Standard | -55°C ~ 175°C (TJ) | 250µA @ 600V | 2V @ 100A | |||||||||||||||||||
| SMBG5944B/TR13 | DIODE ZENER 62V 2W SMBG | Microsemi Corporation | DO-215AA, SMB Gull Wing | Surface Mount | ±5% | SMBG (DO-215AA) | -65°C ~ 150°C | 2W | 62V | 100 Ohms | 1µA @ 47.1V | 1.2V @ 200mA | |||||||||||||||||||
| JANTXV1N4571A-1 | DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35 | Microsemi Corporation | DO-204AH, DO-35, Axial | Through Hole | ±5% | DO-35 (DO-204AH) | -65°C ~ 175°C | 500mW | 6.4V | 100 Ohms | 2µA @ 3V | Military, MIL-PRF-19500/452 | |||||||||||||||||||
| 1N456ATR | DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35 | onsemi | DO-204AH, DO-35, Axial | 500mA | Standard | Through Hole | DO-35 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 25nA @ 25V | 1V @ 100mA | 30V | 175°C (Max) | |||||||||||||||||||
| BAT64-06WH6327 | SCHOTTKY DIODE | Rochester Electronics, LLC | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C39P RVG | DIODE ZENER 39V 1W SUB SMA | Taiwan Semiconductor Corporation | DO-219AB | Surface Mount | ±5% | Sub SMA | -55°C ~ 175°C (TJ) | 1W | 39V | 40 Ohms | 1µA @ 30V | 1.2V @ 200mA | |||||||||||||||||||
| BZD27C22P | DIODE ZENER 22.05V 1W SUB SMA | Taiwan Semiconductor Corporation | DO-219AB | Surface Mount | ±5.66% | Sub SMA | -55°C ~ 175°C (TJ) | 1W | 22.05V | 15 Ohms | 1µA @ 16V | 1.2V @ 200mA | |||||||||||||||||||
| UJ3D1210K2 | 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, | UnitedSiC | TO-247-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 110µA @ 1200V | 510pF @ 1V, 1MHz | 1.6V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||
| VBT3080C-E3/8W | DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Schottky | Surface Mount | TO-263AB (D²PAK) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 700µA @ 80V | 820mV @ 15A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 15A | TMBS® | |||||||||||||||||
| BZX384C11-G3-08 | DIODE ZENER 11V 200MW SOD323 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SC-76, SOD-323 | Surface Mount | ±5% | SOD-323 | -55°C ~ 150°C | 200mW | 11V | 20 Ohms | 100nA @ 8V | BZX384-G | |||||||||||||||||||
| GLL4752A-E3/97 | DIODE ZENER 33V 1W MELF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-213AB, MELF | Surface Mount | ±5% | MELF DO-213AB | -65°C ~ 150°C | 1W | 33V | 45 Ohms | 5µA @ 25.1V |
- 10
- 15
- 50
- 100
Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.
Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.
Рисунок 1. Классификация диодов
Справочная информация по основным параметрам:
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) —
Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) —
Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) —
Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) —
Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) —
Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) —
Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) —
Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) —
Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) —
Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) —
Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) —
Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) —
Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) —
Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.