• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CZRSC55C2V2-G DIODE ZENER 2.2V 500MW 0805 Comchip Technology 0805 (2012 Metric) Surface Mount ±5% 0805 500mW 2.2V 85 Ohms 75µA @ 5.2V 1.5V @ 200mA
SBR10B45P5-7D DIODE SBR 45V 10A POWERDI5 Diodes Incorporated PowerDI™ 5 10A Super Barrier Surface Mount PowerDI™ 5 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 380µA @ 45V 550mV @ 10A 45V -55°C ~ 150°C SBR®
1PMT4105E3/TR13 DIODE ZENER 11V 1W DO216 Microchip Technology DO-216AA Surface Mount ±5% DO-216 -55°C ~ 150°C 1W 11V 200 Ohms 50nA @ 8.44V 1.1V @ 200mA POWERMITE®
JANTX1N4495CUS DIODE ZENER 180V 1.5W D5A Microsemi Corporation SQ-MELF, A Surface Mount ±2% D-5A -65°C ~ 175°C 1.5W 180V 1.3 kOhms 250nA @ 144V 1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/406
1N5945BG DIODE ZENER 68V 1.25W DO204AL Microsemi Corporation DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±5% DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C 1.25W 68V 120 Ohms 1µA @ 51.2V 1.2V @ 200mA
1N6010B DIODE ZENER 27V 500MW DO35 onsemi DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 -65°C ~ 200°C 500mW 27V 70 Ohms 100nA @ 21V 1.2V @ 200mA
MMBZ5243BTW_R1_00001 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD Panjit International Inc. 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Surface Mount ±5% SOT-363 3 Independent -55°C ~ 150°C (TJ) 200mW 13V 13 Ohms MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
HZU4.7B3TRF-E DIODE ZENER Renesas Electronics America Inc
PDZ4.7B/ZL115 ZENER DIODE Rochester Electronics, LLC
M2540SB1200 BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A MODULE Sensata-Crydom Module 1.2kV 40A Single Phase Chassis Mount Module Standard
SMS3926-023LF RF DIODE SCHOTTKY 2V 75MW SOT143 Skyworks Solutions Inc. TO-253-4, TO-253AA 2V Schottky - Cross Over SOT-143 150°C (TJ) 50mA 0.5pF @ 0V, 1MHz 75mW 8Ohm @ 10mA, 1MHz
STTH5R06DJF-TR DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT STMicroelectronics 8-PowerVDFN 5A Standard Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60µA @ 600V 2V @ 5A 600V 55ns 175°C (Max)
SR1503HA0G DIODE SCHOTTKY 30V 15A R-6 Taiwan Semiconductor Corporation R-6, Axial 15A Schottky Through Hole R-6 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 30V 550mV @ 15A 30V -50°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
BZT52C39S RRG DIODE ZENER 39V 200MW SOD323F Taiwan Semiconductor Corporation SC-90, SOD-323F Surface Mount ±5% SOD-323F -65°C ~ 150°C (TJ) 200mW 39V 130 Ohms 45nA @ 27.3V 1V @ 10mA
TZX6V2B-TR DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole DO-35 (DO-204AH) -65°C ~ 175°C 500mW 6.2V 15 Ohms 1µA @ 3V 1.5V @ 200mA Automotive, AEC-Q101, TZX
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.