• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
1N5259B TR PBFREE DIODE ZENER 39V 500MW DO35 Central Semiconductor Corp DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 -65°C ~ 200°C 500mW 39V 80 Ohms 100nA @ 30V 1.1V @ 200mA
S1KFP RECTIFIER DIODE, 1.2A, 800V Fairchild Semiconductor SOD-123H 1.2A Standard Surface Mount SOD-123HE Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 800V 18pF @ 0V, 1MHz 1.3V @ 1.2A 800V 1.5µs -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
JAN1N4463D DIODE ZENER 8.2V 1.5W DO41 Microchip Technology DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±1% DO-41 -65°C ~ 175°C 1.5W 8.2V 3 Ohms 500nA @ 4.92V 1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/406
UPS115U/TR7 DIODE SCHOTTKY 15V 1A POWERMITE Microchip Technology DO-216AA 1A Schottky Surface Mount Powermite Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10mA @ 15V 220mV @ 1A 15V -55°C ~ 150°C
1N5272BUR-1 ZENER DIODE Microsemi Corporation
JAN1N3029BUR-1 DIODE ZENER 24V 1W DO213AB Microsemi Corporation DO-213AB, MELF (Glass) Surface Mount ±5% DO-213AB (MELF, LL41) -55°C ~ 175°C 1W 24V 25 Ohms 10µA @ 18.2V 1.2V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/115
1N4729APE3/TR12 DIODE ZENER 3.6V 1W DO204AL Microsemi Corporation DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±5% DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 150°C 1W 3.6V 10 Ohms 100µA @ 1V 1.2V @ 200mA
BZX84-C30,215 NEXPERIA BZX84-C30 - ZENER DIODE NXP Semiconductors TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±5% TO-236AB -65°C ~ 150°C 250mW 30V 80 Ohms 50nA @ 21V 900mV @ 10mA Automotive, AEC-Q101
SZ3728.T2 DIODE ZENER 28V 3W DIE SMC Diode Solutions Die Surface Mount ±5% Die -40°C ~ 165°C (TJ) 3W 28V 24 Ohms 1µA @ 21.4V 1.1V @ 200mA
MBR30150CTHC0G DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 Taiwan Semiconductor Corporation TO-220-3 Schottky Through Hole TO-220AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 150V 1.02V @ 30A 150V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 30A Automotive, AEC-Q101
RSFJLHRVG DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 500mA Standard Surface Mount Sub SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 4pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 500mA 600V 250ns -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
ES1ALHRQG DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 1A Standard Surface Mount Sub SMA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 50V 10pF @ 4V, 1MHz 950mV @ 1A 50V 35ns -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
MUR160AHR1G DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 27pF @ 4V, 1MHz 1.25V @ 1A 600V 50ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
1N4948GPHE3/54 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 1000V 15pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1A 1000V 500ns -65°C ~ 175°C SUPERECTIFIER®
BZX85B6V8-TAP DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±2% DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 175°C 1.3W 6.8V 3.5 Ohms 1µA @ 4V Automotive, AEC-Q101, BZX85
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.