• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
HMPS-2825-TR2 RF DIODE SCHOTTKY 15V MINIPAK Broadcom Limited 4-UQFN 15V Schottky - 2 Independent MiniPak 1412 150°C (TJ) 1A 1pF @ 0V, 1MHz 12Ohm @ 5mA, 1MHz
FR104B-G RECTIFIER FAST RECOVERY 400V 1A Comchip Technology DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-41 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 25pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1A 400V 150ns -55°C ~ 150°C
CDLL5269C/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology
JANTXV1N4468C DIODE ZENER 13V 1.5W DO41 Microsemi Corporation DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±2% DO-41 -65°C ~ 175°C 1.5W 13V 8 Ohms 50nA @ 10.4V 1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/406
SMBG5370BE3/TR13 DIODE ZENER 56V 5W SMBG Microsemi Corporation DO-215AA, SMB Gull Wing Surface Mount ±5% SMBG (DO-215AA) -65°C ~ 150°C 5W 56V 35 Ohms 500nA @ 40.3V 1.2V @ 1A
1N5339E3/TR8 DIODE ZENER 5.6V 5W T18 Microsemi Corporation T-18, Axial Through Hole ±20% T-18 -65°C ~ 150°C 5W 5.6V 1 Ohms 1µA @ 2V 1.2V @ 1A
JANTX1N6660 DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA Microsemi Corporation TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Schottky Through Hole TO-254AA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 45V 750mV @ 15A 45V 150°C (Max) 1 Pair Common Cathode 15A Military, MIL-PRF-19500/608
DZ2W20000L DIODE ZENER 20V 1W MINI2 Panasonic Electronic Components SOD-123F Surface Mount ±5% Mini2-F3-B 1W 20V 30 Ohms 10µA @ 14V 1.2V @ 200mA
MBRD1035CTLT4 DEVELOPMENT KITS/ACCESSORIES Rochester Electronics, LLC TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount DPAK Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 35V 470mV @ 5A 35V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 5A SWITCHMODE™
S1KW80KA-5 DIODE GEN PURP 80KV 1.5A MODULE Semtech Corporation Module 1.5A Standard Chassis Mount Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 80000V 80V @ 1.5A 80000V 2µs -55°C ~ 150°C
MBRF10200 DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC SMC Diode Solutions TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 10A Schottky Through Hole ITO-220AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 200V 950mV @ 10A 200V -55°C ~ 175°C
SR104 A0G DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 1A Schottky Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 40V 550mV @ 1A 40V -55°C ~ 125°C
SML4744-E3/5A DIODE ZENER 15V 1W DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA Surface Mount ±10% DO-214AC (SMA) 150°C 1W 15V 14 Ohms 5µA @ 11.4V
BZD27B160P-HE3-18 DIODE ZENER 160V 800MW DO219AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-219AB Surface Mount DO-219AB (SMF) -65°C ~ 175°C 800mW 160V 350 Ohms 1µA @ 130V 1.2V @ 200mA Automotive, AEC-Q101, BZD27B
SBLB1030-E3/45 DIODE SCHOTTKY DUAL TO-263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.