• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • JANTX1N6660
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/608
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
    • Тип корпуса: TO-254AA
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Прямое напряжение: 750mV @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 45V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 15A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SBLB1030-E3/45
    DIODE SCHOTTKY DUAL TO-263AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SR104 A0G
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 550mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 40V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV1N4468C
    DIODE ZENER 13V 1.5W DO41
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-41
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Ток утечки: 50nA @ 10.4V
    • Допуск: ±2%
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Напряжение стабилизации: 13V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMBG5370BE3/TR13
    DIODE ZENER 56V 5W SMBG
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
    • Тип корпуса: SMBG (DO-215AA)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
    • Ток утечки: 500nA @ 40.3V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 56V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 35 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N5339E3/TR8
    DIODE ZENER 5.6V 5W T18
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: T-18, Axial
    • Тип корпуса: T-18
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
    • Ток утечки: 1µA @ 2V
    • Допуск: ±20%
    • Мощность - Макс.: 5W
    • Напряжение стабилизации: 5.6V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 1 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SML4744-E3/5A
    DIODE ZENER 15V 1W DO214AC
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Ток утечки: 5µA @ 11.4V
    • Допуск: ±10%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 15V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 14 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FR104B-G
    RECTIFIER FAST RECOVERY 400V 1A
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-41
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 150ns
    • Ток утечки: 5µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDLL5269C/TR
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZD27B160P-HE3-18
    DIODE ZENER 160V 800MW DO219AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 130V
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Напряжение стабилизации: 160V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 350 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S1KW80KA-5
    DIODE GEN PURP 80KV 1.5A MODULE
    Semtech Corporation
    • Производитель: Semtech Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
    • Прямое напряжение: 80V @ 1.5A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 2µs
    • Ток утечки: 1mA @ 80000V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBRD1035CTLT4
    DEVELOPMENT KITS/ACCESSORIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: SWITCHMODE™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Прямое напряжение: 470mV @ 5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DZ2W20000L
    DIODE ZENER 20V 1W MINI2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-123F
    • Тип корпуса: Mini2-F3-B
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 10µA @ 14V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 20V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HMPS-2825-TR2
    RF DIODE SCHOTTKY 15V MINIPAK
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-UQFN
    • Тип корпуса: MiniPak 1412
    • Тип диода: Schottky - 2 Independent
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 1A
    • Обратное пиковое напряжение: 15V
    • Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBRF10200
    DIODE SCHOTTKY 200V 10A ITO220AC
    SMC Diode Solutions
    • Производитель: SMC Diode Solutions
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: ITO-220AC
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 950mV @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.