• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
GBPC2506W-G BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W Comchip Technology 4-Square, GBPC-W 600V 25A Single Phase Through Hole GBPC-W Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 600V 1.1V @ 12.5A
CDBD2060-G DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK Comchip Technology TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Schottky Surface Mount D2PAK Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500µA @ 60V 750mV @ 10A 60V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 20A (DC)
PDS5100H-13-36 DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5 Diodes Incorporated PowerDI™ 5 5A Schottky Surface Mount PowerDI™ 5 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3.5µA @ 100V 800mV @ 10A 100V -65°C ~ 175°C
DFLS240LQ-7 DIODE SCHOTTKY 40V 2A POWERDI123 Diodes Incorporated POWERDI®123 2A Schottky Surface Mount PowerDI™ 123 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 20V 90pF @ 10V, 1MHz 650mV @ 3A 40V -55°C ~ 125°C Automotive, AEC-Q101
JANTX1N4994US DIODE ZENER 330V 5W D5B Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±5% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 330V 1.175 kOhms 2µA @ 251V 1.5V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/356
JANS1N6316US DIODE ZENER 4.7V 500MW MELF Microchip Technology SQ-MELF, B Surface Mount ±5% B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C 500mW 4.7V 17 Ohms 5µA @ 1.5V 1.4V @ 1A Military, MIL-PRF-19500/533
JAN1N5528B-1 DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 Microsemi Corporation DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 (DO-204AH) -65°C ~ 175°C 500mW 8.2V 40 Ohms 500nA @ 7.5V 1.1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/437
1PS301/ZL115 RECTIFIER DIODE Nexperia USA Inc.
BZX884-C18,315 NEXPERIA BZX884-C18 - ZENER DIOD NXP Semiconductors SOD-882 Surface Mount ±5% DFN1006-2 -65°C ~ 150°C 250mW 18V 45 Ohms 50nA @ 12.6V 900mV @ 10mA
MMBZ5241AW_R1_00001 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD Panjit International Inc. SC-70, SOT-323 Surface Mount ±2% SOT-323 -55°C ~ 150°C (TJ) 200mW 11V 22 Ohms 2µA @ 8.4V
RD24F-T8-AZ DIODE ZENER Renesas Electronics America Inc
UF4002-E3/54 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial 1A Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 17pF @ 4V, 1MHz 1V @ 1A 100V 50ns -55°C ~ 150°C
UH2CHE3_A/I DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AA, SMB 2A Standard Surface Mount DO-214AA (SMB) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2µA @ 150V 42pF @ 4V, 1MHz 1.05V @ 2A 150V 25ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
BZG05B4V7-HM3-08 DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA Surface Mount ±1.91% DO-214AC (SMA) 150°C (TJ) 1.25W 4.7V 13 Ohms 3µA @ 1V 1.2V @ 200mA Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M
GP08D-E3/54 DIODE GEN PURP 200V 800MA DO204 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AL, DO-41, Axial 800mA Standard Through Hole DO-204AL (DO-41) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 1.3V @ 800mA 200V 2µs -65°C ~ 175°C SUPERECTIFIER®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.