• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CZRV5254B-G DIODE ZENER 27V 200MW SOD323 Comchip Technology SC-76, SOD-323 Surface Mount ±5% SOD-323 -60°C ~ 150°C 200mW 27V 41 Ohms 100nA @ 21V 900mV @ 10mA
1N5404K ST Rect, 400V, 3A Diotec Semiconductor DO-204AC, DO-15, Axial 3A Standard Through Hole DO15/DO204AC Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 1.1V @ 3A 400V 1.5µs -50°C ~ 175°C
SMBJ5370AE3/TR13 DIODE ZENER 56V 5W SMBJ Microchip Technology DO-214AA, SMB Surface Mount ±10% SMBJ (DO-214AA) -65°C ~ 150°C 5W 56V 35 Ohms 500nA @ 40.3V 1.2V @ 1A
1N4964US/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology E-MELF Surface Mount ±5% D-5B -65°C ~ 175°C 5W 18V 4 Ohms 5µA @ 13.7V 1.5V @ 1A
CDLL5532C VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology
3EZ16D10E3/TR12 DIODE ZENER 16V 3W DO204AL Microsemi Corporation DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±10% DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 150°C 3W 16V 5.5 Ohms 500nA @ 12.2V 1.2V @ 200mA
BZX884S-C56-QYL BZX884S-C56-Q/SOD882BD/XSON2 Nexperia USA Inc. SOD-882 Surface Mount ±1.96% DFN1006BD-2 150°C (TJ) 365mW 56V 200 Ohms 50nA @ 39.2V 900mV @ 10mA
PMEG6020ETR,115 DIODE SCHOTTKY 60V 2A CFP3 Nexperia USA Inc. SOD-123W 2A Schottky Surface Mount SOD-123W Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150µA @ 60V 240pF @ 1V, 1MHz 530mV @ 2A 60V 8.5ns 175°C (Max)
1N5358BG DIODE ZENER 22V 5W AXIAL onsemi T-18, Axial Through Hole ±5% Axial -65°C ~ 200°C 5W 22V 3.5 Ohms 500nA @ 16.7V 1.2V @ 1A
SR009HA0G DIODE SCHOTTKY 90V 500MA DO204AL Taiwan Semiconductor Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 500mA Schottky Through Hole DO-204AL (DO-41) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 90V 65pF @ 4V, 1MHz 850mV @ 500mA 90V -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
BZD27C62P RHG DIODE ZENER 62V 1W SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB Surface Mount ±6.45% Sub SMA -55°C ~ 175°C (TJ) 1W 62V 80 Ohms 1µA @ 47V 1.2V @ 200mA
VS-6CWQ03FNTRRPBF DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V DPAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount D-PAK (TO-252AA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 30V 350mV @ 3A 30V -40°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 3.5A
TZMC7V5-M-18 DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Surface Mount ±5% SOD-80 MiniMELF -65°C ~ 175°C 500mW 7.5V 7 Ohms 100nA @ 5V 1.5V @ 200mA Automotive, AEC-Q101, TZM-M
VS-10ETF04STRL-M3 DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A Standard Surface Mount TO-263AB (D²PAK) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100µA @ 400V 1.2V @ 10A 400V 200ns -40°C ~ 150°C
ESH3DHE3/57T DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AB, SMC 3A Standard Surface Mount DO-214AB (SMC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 200V 900mV @ 3A 200V 40ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.