• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • LSM340GE3/TR13
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO215AB
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
    • Тип корпуса: DO-215AB
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 520mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 40V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CD411699C
    DIODE MODULE 1.6KV 100A
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1600V
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 8mA @ 1600V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RB085B-40GTL
    DIODE SCHOTTKY SSOP3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZX84-C22/DG/B4R
    DIODE ZENER 22.05V 250MW TO236AB
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 50nA @ 15.4V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Напряжение стабилизации: 22.05V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 55 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX1N6631U
    DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SQ-MELF, E
    • Тип корпуса: D-5B
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.4A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 1.4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 60ns
    • Ток утечки: 4µA @ 1000V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STPS30L30DJF-TR
    DIODE SCHOTTKY 30V 30A POWERFLAT
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerFlat™ (5x6)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A
    • Прямое напряжение: 510mV @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 750µA @ 30V
    • Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PAB2LD431250
    3-PHASE AC SWITCH ASSEMBLY
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CMZ5941B BK PBFREE
    DIODE ZENER 47V 500MW SMA
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: SMA
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 35.8V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 47V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 67 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DZ23C51-7-F
    DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Конфигурация: 1 Pair Common Cathode
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение стабилизации: 51V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBZ5248B-G3-08
    DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Ток утечки: 100nA @ 14V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Напряжение стабилизации: 18V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 21 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PZM5.1NB2A,115
    DIODE ZENER 5.1V 220MW SMT3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3; MPAK
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA
    • Ток утечки: 3µA @ 1.5V
    • Допуск: ±2%
    • Мощность - Макс.: 220mW
    • Напряжение стабилизации: 5.1V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX1N4106-1
    DIODE ZENER 12V 500MW DO35
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/435
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 50nA @ 9.2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 12V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZB84-C4V7,215
    DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
    • Ток утечки: 3µA @ 2V
    • Конфигурация: 1 Pair Common Anode
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение стабилизации: 4.7V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CDLL5235A/TR
    VOLTAGE REGULATOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-213AB, MELF
    • Тип корпуса: DO-213AB
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 3µA @ 5V
    • Допуск: ±10%
    • Мощность - Макс.: 10mW
    • Напряжение стабилизации: 6.8V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 5 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N4930
    DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -25°C ~ 100°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 19.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 36 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.