• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • SS15-LTP
    DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AC
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 700mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT100DL60HJ
    BRIDGE RECT 1P 600V 100A SOT227
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Single Phase
    • Средний выпрямленный ток (Io): 100A
    • Прямое напряжение: 2V @ 100A
    • Ток утечки: 250µA @ 600V
    • Технология: Standard
    • Обратное пиковое напряжение: 600V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZD27C22P
    DIODE ZENER 22.05V 1W SUB SMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 16V
    • Допуск: ±5.66%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 22.05V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BAT64-06WH6327
    SCHOTTKY DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N456ATR
    DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 500mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 100mA
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25nA @ 25V
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VBT3080C-E3/8W
    DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: TMBS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Прямое напряжение: 820mV @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 700µA @ 80V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 15A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN1N965D-1
    DIODE ZENER 15V 500MW DO35
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/117
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 500nA @ 11V
    • Допуск: ±1%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 15V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 16 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZD27C39P RVG
    DIODE ZENER 39V 1W SUB SMA
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DO-219AB
    • Тип корпуса: Sub SMA
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 30V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 39V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GLL4752A-E3/97
    DIODE ZENER 33V 1W MELF
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-213AB, MELF
    • Тип корпуса: MELF DO-213AB
    • Ток утечки: 5µA @ 25.1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 33V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UJ3D1210K2
    1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 110µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMBG5944B/TR13
    DIODE ZENER 62V 2W SMBG
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
    • Тип корпуса: SMBG (DO-215AA)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 47.1V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Напряжение стабилизации: 62V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV1N4571A-1
    DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/452
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
    • Ток утечки: 2µA @ 3V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 6.4V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ES2AA-13
    DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: SMA
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 920mV @ 2A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Ток утечки: 5µA @ 50V
    • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZX384C11-G3-08
    DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: BZX384-G
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: SC-76, SOD-323
    • Тип корпуса: SOD-323
    • Ток утечки: 100nA @ 8V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 11V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ES1JWF-HF
    RECTIFIER SUPER FAST RECOVERY 60
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOD-123F
    • Тип корпуса: SOD-123F
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.68 V @ 1 A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Ток утечки: 5µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.