• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
  • HZU4.7B3TRF-E
    DIODE ZENER
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CZRSC55C2V2-G
    DIODE ZENER 2.2V 500MW 0805
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 0805 (2012 Metric)
    • Тип корпуса: 0805
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 75µA @ 5.2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 2.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 85 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBZ5243BTW_R1_00001
    SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    Panjit International Inc.
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Серия: MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Конфигурация: 3 Independent
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 13V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SBR10B45P5-7D
    DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: SBR®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: PowerDI™ 5
    • Тип корпуса: PowerDI™ 5
    • Тип диода: Super Barrier
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 550mV @ 10A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 380µA @ 45V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BZT52C39S RRG
    DIODE ZENER 39V 200MW SOD323F
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-90, SOD-323F
    • Тип корпуса: SOD-323F
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Ток утечки: 45nA @ 27.3V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Напряжение стабилизации: 39V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 130 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N5945BG
    DIODE ZENER 68V 1.25W DO204AL
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
    • Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 51.2V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    • Напряжение стабилизации: 68V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMS3926-023LF
    RF DIODE SCHOTTKY 2V 75MW SOT143
    Skyworks Solutions Inc.
    • Производитель: Skyworks Solutions Inc.
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип диода: Schottky - Cross Over
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 75mW
    • Обратное пиковое напряжение: 2V
    • Сопротивление @ If, F: 8Ohm @ 10mA, 1MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N6010B
    DIODE ZENER 27V 500MW DO35
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35
    • Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
    • Ток утечки: 100nA @ 21V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 27V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STTH5R06DJF-TR
    DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerFlat™ (5x6)
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 5A
    • Прямое напряжение: 2V @ 5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Ток утечки: 60µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • M2540SB1200
    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A MODULE
    Sensata-Crydom
    • Производитель: Sensata-Crydom
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Тип диода: Single Phase
    • Средний выпрямленный ток (Io): 40A
    • Технология: Standard
    • Обратное пиковое напряжение: 1.2kV
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TZX6V2B-TR
    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, TZX
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
    • Тип корпуса: DO-35 (DO-204AH)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
    • Ток утечки: 1µA @ 3V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение стабилизации: 6.2V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SR1503HA0G
    DIODE SCHOTTKY 30V 15A R-6
    Taiwan Semiconductor Corporation
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: R-6, Axial
    • Тип корпуса: R-6
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 15A
    • Прямое напряжение: 550mV @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 30V
    • Рабочая температура перехода: -50°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX1N4495CUS
    DIODE ZENER 180V 1.5W D5A
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/406
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: SQ-MELF, A
    • Тип корпуса: D-5A
    • Прямое напряжение: 1V @ 200mA
    • Ток утечки: 250nA @ 144V
    • Допуск: ±2%
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Напряжение стабилизации: 180V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 1.3 kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PDZ4.7B/ZL115
    ZENER DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1PMT4105E3/TR13
    DIODE ZENER 11V 1W DO216
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWERMITE®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: DO-216AA
    • Тип корпуса: DO-216
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
    • Ток утечки: 50nA @ 8.44V
    • Допуск: ±5%
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Напряжение стабилизации: 11V
    • Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.